NTD23N03RT4 全國供應商、價格、PDF資料
NTD23N03RT4詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:3.76nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:225pF @ 20V
- 功率_最大:1.14W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設(shè)備封裝:D-Pak
- 包裝:Digi-Reel®
NTD23N03RT4詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:3.76nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:225pF @ 20V
- 功率_最大:1.14W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設(shè)備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
NTD23N03RT4詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:3.76nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:225pF @ 20V
- 功率_最大:1.14W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設(shè)備封裝:D-Pak
- 包裝:剪切帶 (CT)
NTD23N03RT4G詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET PWR N-CHAN 25V 23A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:3.76nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:225pF @ 20V
- 功率_最大:1.14W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設(shè)備封裝:D-Pak
- 包裝:剪切帶 (CT)
NTD23N03RT4G詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:3.76nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:225pF @ 20V
- 功率_最大:1.14W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設(shè)備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
- 鐵氧體磁珠和芯片 Laird-Signal Integrity Products 0603(1608 公制) FERRITE CHIP 220 OHMS 2.0A 0603
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps NJR 8-DIP(0.300",7.62mm) IC OPAMP DUAL W/SW 2IN/1OUT 8DIP
- FET - 單 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
- 固定式 Susumu 0402(1005 公制) INDUCTOR 12NH +/-2% 0402
- TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc TO-226-2,TO-92-2(TO-226AC)成形引線 SIDACTOR MC BI 65V 400A TO-92
- RF 其它 IC 和模塊 Hittite Microwave Corporation 16-VFQFN 裸露焊盤 IC MMIC VCO W/BUFF AMP 4X4QFN
- 固定式 TDK Corporation 1210(3225 公制) INDUCTOR POWER 390UH 1210
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps NJR 16-SOIC(0.209",5.30mm 寬) IC TRANSCONDUCT AMP DUAL 16-DMP
- 鐵氧體磁珠和芯片 Laird-Signal Integrity Products 0603(1608 公制) FERRITE CHIP 2A 300 OHM SMD
- 固定式 Susumu 0402(1005 公制) INDUCTOR 1.0NH +/-0.2NH 0402
- TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc 2-VQFN SIDACTOR BI 88V 150A QFN SMD
- 固定式 TDK Corporation 1210(3225 公制) INDUCTOR POWER 3.3UH 1210
- RF 其它 IC 和模塊 Hittite Microwave Corporation 16-VFQFN 裸露焊盤 IC MMIC VCO W/BUFF AMP 4X4QFN
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps NJR 8-DIP(0.300",7.62mm) IC OPAMP DUAL 8-DIP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps NJR 16-DIP(0.300",7.62mm) IC OPAMP DUAL W/SW 2IN1OUT 16DIP