

NTD2955-1G詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫歐 @ 6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:750pF @ 25V
- 功率_最大:55W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
- 供應商設備封裝:I-Pak
- 包裝:管件
NTD2955G詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫歐 @ 6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:750pF @ 25V
- 功率_最大:55W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:DPAK-3
- 包裝:管件
NTD2955PT4G詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫歐 @ 6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:750pF @ 25V
- 功率_最大:55W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:DPAK-3
- 包裝:Digi-Reel®
NTD2955PT4G詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫歐 @ 6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:750pF @ 25V
- 功率_最大:55W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:DPAK-3
- 包裝:帶卷 (TR)
NTD2955PT4G詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫歐 @ 6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:750pF @ 25V
- 功率_最大:55W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:DPAK-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
NTD2955T4G詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫歐 @ 6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:750pF @ 25V
- 功率_最大:55W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:DPAK-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC REG CTRLR BST FLYBK PWM 8SOIC
- 矩形- 接頭,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 24POS SNGL HORZ
- FET - 單 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 24.0K OHM .40W 0.1% 2010
- 矩形- 接頭,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 25POS SNGL VERT
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Texas Instruments 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC REG CTRLR BST FLYBK CM 14SOIC
- 線性 - 放大器 - 視頻放大器和頻緩沖器 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC SDTV VIDEO AMP 3CH LP 8-SOIC
- 數(shù)據(jù)采集 - 模數(shù)轉換器 Texas Instruments 20-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC ADC 10BIT 400KSPS 8CH 20TSSOP
- 矩形- 接頭,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 52POS DUAL HORZ
- 矩形- 接頭,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 54POS DUAL HORZ
- 線性 - 視頻處理 Texas Instruments 9-UFBGA,DSBGA IC VIDEO LINE DVR 3CH 9-DSBGA
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC REG CTRLR BST FLYBK PWM 8SOIC
- 數(shù)據(jù)采集 - 模數(shù)轉換器 Texas Instruments 20-LCC(J 形引線) IC 10BIT 32KSPS ADC S/O 20-PLCC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 24.3K OHM 0.4W 0.1% 2010
- 矩形- 接頭,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 56POS DUAL VERT