NTD78N03 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

NTD78N03詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：25V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11.4A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 78A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2250pF @ 12V

功率_最大：1.4W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak

包裝：管件

NTD78N03-001詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：25V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11.4A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 78A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2250pF @ 12V

功率_最大：1.4W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak

包裝：管件

NTD78N03-035詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：25V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11.4A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 78A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2250pF @ 12V

功率_最大：1.4W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-251-3 短截引線，IPak

供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak

包裝：管件

NTD78N03-1G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：25V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11.4A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 78A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2250pF @ 12V

功率_最大：1.4W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak

包裝：管件

NTD78N03-35G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：25V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11.4A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 78A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2250pF @ 12V

功率_最大：1.4W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-251-3 短截引線，IPak

供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak

包裝：管件

NTD78N03G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：25V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11.4A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 78A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2250pF @ 12V

功率_最大：1.4W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak

包裝：管件

• NTD6416ANT4G

  FET - 單    ON Semiconductor    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK

• NTMS4706NR2G

  FET - 單    ON Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC

• TNPW2512316KBETG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 316K OHM 1/2W 0.1% 2512

• TAP476K035CRS

  鉭    AVX Corporation    徑向    CAP TANT 47UF 35V 10% RADIAL

• T322B106K006AS

  鉭    Kemet    軸向    CAP TANT 10UF 6V 10% AXIAL

• NTD65N03RT4

  FET - 單    ON Semiconductor    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK

• TLC5946RHBRG4

  PMIC - LED 驅(qū)動器    Texas Instruments    32-VFQFN 裸露焊盤    IC LED DRIVER LINEAR 32-QFN

• NTMS4802NR2G

  FET - 單    ON Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC

• TAP476M006GSB

  鉭    AVX Corporation    徑向    CAP TANT 47UF 6.3V 20% RADIAL

• T322B155K025AS

  鉭    Kemet    軸向    CAP TANT 1.5UF 25V 10% AXIAL

• TLC5947RHBT

  PMIC - LED 驅(qū)動器    Texas Instruments    32-VFQFN 裸露焊盤    IC LED DRIVER LINEAR 32-QFN

• NTMS4935NR2G

  FET - 單    ON Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC

• TAP476M006HSB

  鉭    AVX Corporation    徑向    CAP TANT 47UF 6.3V 20% RADIAL

• TNPW251231K6BETG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 31.6K OHM 1/2W 0.1% 2512

• T322B156K006AS

  鉭    Kemet    軸向    CAP TANT 15UF 6V 10% AXIAL