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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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NTMD6P02 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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NTMD6P02R2G詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 陣列
描述：MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.8A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：33 毫歐 @ 6.2A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 16V
功率_最大：750mW
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N
包裝：剪切帶 (CT)

NTMD6P02R2G詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 陣列
描述：MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.8A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：33 毫歐 @ 6.2A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 16V
功率_最大：750mW
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N
包裝：Digi-Reel®

NTMD6P02R2G詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 陣列
描述：MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.8A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：33 毫歐 @ 6.2A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 16V
功率_最大：750mW
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N
包裝：帶卷 (TR)

NTMD6P02R2SG詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 陣列
描述：MOSFET P-CHAN 7.8A 20V 8-SOIC
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.8A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：33 毫歐 @ 6.2A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 16V
功率_最大：750mW
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N
包裝：帶卷 (TR)

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