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當前位置:網站首頁 » 庫存索引35 » 型號"PBLS2003S"的供應信息

PBLS2003S 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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PBLS2003S,115詳細規(guī)格

類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述:LOADSWITCH PNP 20V 3A 8-SOIC
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP
電流_集電極333Ic444(最大):100mA,3A
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V,20V
電阻器_基極333R1444(歐):10k
電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):10k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V / 150 @ 2A,2V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 500µA,10mA / 355mV @ 300mA,3A
電流_集電極截止(最大):1µA,100nA
頻率_轉換:100MHz
功率_最大:1.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)

PBLS2003S,115詳細規(guī)格

類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述:LOADSWITCH PNP 20V 3A 8-SOIC
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP
電流_集電極333Ic444(最大):100mA,3A
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V,20V
電阻器_基極333R1444(歐):10k
電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):10k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V / 150 @ 2A,2V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 500µA,10mA / 355mV @ 300mA,3A
電流_集電極截止(最大):1µA,100nA
頻率_轉換:100MHz
功率_最大:1.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:Digi-Reel®

PBLS2003S,115詳細規(guī)格

類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述:LOADSWITCH PNP 20V 3A 8-SOIC
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP
電流_集電極333Ic444(最大):100mA,3A
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V,20V
電阻器_基極333R1444(歐):10k
電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):10k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V / 150 @ 2A,2V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 500µA,10mA / 355mV @ 300mA,3A
電流_集電極截止(最大):1µA,100nA
頻率_轉換:100MHz
功率_最大:1.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:剪切帶 (CT)

PBLS2003S,115詳細規(guī)格

類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述:LOADSWITCH PNP 20V 3A 8-SOIC
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP
電流_集電極333Ic444(最大):100mA,3A
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V,20V
電阻器_基極333R1444(歐):10k
電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):10k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V / 150 @ 2A,2V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 500µA,10mA / 355mV @ 300mA,3A
電流_集電極截止(最大):1µA,100nA
頻率_轉換:100MHz
功率_最大:1.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)

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