當(dāng)前位置：網(wǎng)站首頁(yè) » 庫(kù)存索引412 » 型號(hào)"PDTA114EU"的供應(yīng)信息

PDTA114EU 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

PDTA114EU,115詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS PNP 50V 100MA SOT323

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：1µA

頻率_轉(zhuǎn)換：180MHz

功率_最大：200mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SC-70，SOT-323

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70

包裝：帶卷 (TR)

PDTA114EU,115詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS PNP 50V 100MA SOT323

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：1µA

頻率_轉(zhuǎn)換：180MHz

功率_最大：200mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SC-70，SOT-323

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70

包裝：剪切帶 (CT)

PDTA114EU,115詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS PNP 50V 100MA SOT323

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：1µA

頻率_轉(zhuǎn)換：180MHz

功率_最大：200mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SC-70，SOT-323

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70

包裝：帶卷 (TR)

PDTA114EU,115詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS PNP 50V 100MA SOT323

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：1µA

頻率_轉(zhuǎn)換：180MHz

功率_最大：200mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SC-70，SOT-323

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70

包裝：Digi-Reel®

PDTA114EU,135詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS PNP W/RESISTOR SOT-323

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：1µA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：200mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SC-70，SOT-323

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70

包裝：帶卷 (TR)

• PE-1008CD332KTT

  固定式    Pulse Electronics Corporation    1008（2520 公制）    INDUCTOR WW 3300NH 7.9MHZ 1008

• TC4428EOA713

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān)    Microchip Technology    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8SOIC

• TNPW120686K6BEEA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1206（3216 公制）    RES 86.6K OHM 1/4W 0.1% 1206

• PDTA113ZM,315

  晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式    NXP Semiconductors    SC-101，SOT-883    TRANS PNP W/RES 50V SOT-883

• PE-68011

  其它    Pulse Electronics Corporation    垂直式，8 鷗翼形    MODULE

• PE-1008CD390GTT

  固定式    Pulse Electronics Corporation    1008（2520 公制）    INDUCTOR WW 39NH 50MHZ 1008

• TC4428EUA

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān)    Microchip Technology    8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8MSOP

• PE-68011

  其它    Pulse Electronics Corporation    垂直式，8 鷗翼形    MODULE

• PE-1008CD391JTT

  固定式    Pulse Electronics Corporation    1008（2520 公制）    INDUCTOR WW 390NH 25MHZ 1008

• TNPW1206887RBEEN

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1206（3216 公制）    RES 887 OHM 1/4W 0.1% 1206

• PE-68011T

  其它    Pulse Electronics Corporation    垂直式，8 鷗翼形    MODULE

• PE-1008CD391KTT

  固定式    Pulse Electronics Corporation    1008（2520 公制）    INDUCTOR WW 390NH 25MHZ 1008

• TC4429MJA

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān)    Microchip Technology    8-CDIP（0.300"，7.62mm）    IC MOSFET DRIVER 6A INV 8CDIP

• PE-68011T

  其它    Pulse Electronics Corporation    垂直式，8 鷗翼形    MODULE

• PE-1008CD470GTT

  固定式    Pulse Electronics Corporation    1008（2520 公制）    INDUCTOR WW 47NH 50MHZ 1008