PDTA123EE 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

PDTA123EE,115詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS PNP W/RES 50V SOT-416

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 20mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：1µA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SC-75，SOT-416

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75

包裝：帶卷 (TR)

PDTA123EE,115詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS PNP W/RES 50V SOT-416

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 20mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：1µA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SC-75，SOT-416

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75

包裝：剪切帶 (CT)

PDTA123EE,115詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS PNP W/RES 50V SOT-416

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 20mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：1µA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SC-75，SOT-416

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75

包裝：帶卷 (TR)

PDTA123EE,115詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS PNP W/RES 50V SOT-416

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 20mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：1µA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SC-75，SOT-416

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75

包裝：Digi-Reel®

• PDTA115TM,315

  晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式    NXP Semiconductors    SC-101，SOT-883    TRANS PNP W/RES 50V SOT-883

• MC9S12XDG128CAL

  嵌入式 - 微控制器，    Freescale Semiconductor    112-LQFP    IC MCU 16BIT 128K FLASH 112-LQFP

• RW1S0BAR200J

  芯片電阻 - 表面安裝    Ohmite    2512 J 形引線    RES POWER .200 OHM 1W 5% SMT

• SA305C184KARC

  陶瓷    AVX Corporation    軸向    CAP CER 0.18UF 50V 10% AXIAL

• RT0603BRD07107KL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0603（1608 公制）    RES 107K OHM 1/10W .1% SMD 0603

• PT81.5BN

  同軸，RF    Laird Technologies IAS    44-SIP SMD 模塊    CBL ASSY 58A BNCM NM

• MS3475W18-11SZ

  連接器，互連器件    TE Connectivity        CONN PLUG 11POS CABLE SCKT

• MC9S12XDT256MAL

  嵌入式 - 微控制器，    Freescale Semiconductor    112-LQFP    IC MCU 256K FLASH 112-LQFP

• RW1S0BAR240J

  芯片電阻 - 表面安裝    Ohmite    2512 J 形引線    RES POWER .240 OHM 1W 5% SMT

• PT81.5NT

  同軸，RF    Laird Technologies IAS    44-SIP SMD 模塊    CBL ASSY 58A NM TNCM

• RT0603BRD07107RL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0603（1608 公制）    RES 107 OHM 1/10W .1% SMD 0603

• MS3475W18-30BX

  圓形 - 外殼    TE Connectivity        CONN HSG PLUG CABLE 30POS SCKT

• MC9S12XEP100MAL

  嵌入式 - 微控制器，    Freescale Semiconductor    112-LQFP    IC MCU 16BIT 1M FLASH 112-LQFP

• PDTA123ES,126

  晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式    NXP Semiconductors    TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線    TRANS PNP W/RES 50V TO-92

• RW1S0BAR240JE

  芯片電阻 - 表面安裝    Ohmite    2512 J 形引線    RES POWER .240 OHM 1W 5% SMT