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PEMB1,115詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：2 個 PNP 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：1µA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-666; 包裝：帶卷 (TR)

PEMB10,115詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：2 個 PNP 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：100mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：1µA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-666; 包裝：帶卷 (TR)

PEMB11,115詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：2 個 PNP 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：1µA; 頻率_轉換：180MHz; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-666; 包裝：帶卷 (TR)

PEMB11,115詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：2 個 PNP 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：1µA; 頻率_轉換：180MHz; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-666; 包裝：Digi-Reel®

PEMB11,115詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：2 個 PNP 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：1µA; 頻率_轉換：180MHz; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-666; 包裝：剪切帶 (CT)

PEMB13,115詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：2 個 PNP 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：100mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：1µA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-666; 包裝：帶卷 (TR)

PCM4222PFBR
數據采集 - 模數轉換器 Texas Instruments 48-TQFP IC ADC 24BIT 2CH DELT-SIG 48TQFP
PNL3F000
配件 Red Lion Controls 48-TQFP PANEL FOR 1/16 DIN UNITS
PCA8575DB,112
接口 - I/O 擴展器 NXP Semiconductors 24-SSOP（0.209"，5.30mm 寬） IC I/O EXPANDER I2C 16B 24SSOP
PM1608S-4R7M
固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR SHIELDED 4.7UH 20% SMD
PEMB11,115
晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 NXP Semiconductors SOT-563，SOT-666 TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666
PIC32MX210F016D-V/PT
嵌入式 - 微控制器， Microchip Technology 44-TQFP IC MCU 32BIT 16KB FLASH 44TQFP
PTMA403033A1AST
DC DC Converters Texas Instruments 4-DIP SMD 模塊 CONV DC-DC 48VIN 3A 3.3V SMD
PCM4222PFBR
數據采集 - 模數轉換器 Texas Instruments 48-TQFP IC ADC 24BIT 216KHZ 2CH 48-TQFP
PM1608S-680M
固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR SHIELDED 68UH 20% SMD
PIC32MX220F032B-I/SO
嵌入式 - 微控制器， Microchip Technology 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC MCU 32BIT 32KB FLASH 28SOIC
PNL3G000
配件 Red Lion Controls 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） PANEL FOR 1/16 DIN UNITS
PCM5100PW
數據采集 - 數模轉換器 Texas Instruments 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC DAC 16/24/32BIT AUDIO 20TSSOP
PTMA403033A2AST
DC DC Converters Texas Instruments 5-DIP SMD 模塊 CONV DC-DC 48VIN 3A 3.3V SMD
PCA8581CT/6,112
存儲器 NXP Semiconductors 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC EEPROM 1KBIT 100KHZ 8SOIC
PM1608S-682M
固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR SHIELDED 6800UH 20% SMD

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