PHP225 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

PHP225,118詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 20V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

PHP225,118詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 20V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：剪切帶 (CT)

PHP225,118詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 20V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

PHP225,118詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 20V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：Digi-Reel®

PHP225NQ04T,127詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

系列：TrenchMOS™

制造商：NXP Semiconductors

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：40V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫歐 @ 25A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：94nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：5100pF @ 25V

功率_最大：300W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB

包裝：管件

• PHP193NQ06T,127

  FET - 單    NXP Semiconductors    TO-220-3    MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

• TL431CZ

  PMIC - 電壓基準(zhǔn)    STMicroelectronics    TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體     IC VREF SHUNT PREC ADJ TO-92-3

• TLV1117-25IDRJR

  PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性    Texas Instruments    8-WDFN 裸露焊盤    IC REG LDO 2.5V .8A 8-SON

• TR/0603FA3-R

  保險(xiǎn)絲    Cooper Bussmann    0603（1608 公制）    FUSE 3A 32V FAST SMD 0603

• PIC32MX695F512LT-80I/PF

  嵌入式 - 微控制器，    Microchip Technology    100-TQFP    IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100TQFP

• PHP225,118

  FET - 陣列    NXP Semiconductors    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC

• TL431FDT,215

  PMIC - 電壓基準(zhǔn)    NXP Semiconductors    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3

• TLV1117-33IDCY

  PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性    Texas Instruments    TO-261-4，TO-261AA    IC REG LDO 3.3V .8A SOT223-4

• USP1H0R1MDD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 0.1UF 50V 20% RADIAL

• TL431ID

  PMIC - 電壓基準(zhǔn)    STMicroelectronics    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC VREF SHUNT PREC ADJ 8-SO

• PIC32MX695F512LT-80V/PF

  嵌入式 - 微控制器，    Microchip Technology    100-TQFP    IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100TQFP

• USP1V3R3MDD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 3.3UF 35V 20% RADIAL

• TR/0603FA750-R

  保險(xiǎn)絲    Cooper Bussmann    0603（1608 公制）    FUSE 750MA 32V FAST SMD 0603

• TLV1117-33IKVURG3

  PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性    Texas Instruments    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    IC REG LDO 3.3V .8A TO-252

• PHP29N08T,127

  FET - 單    NXP Semiconductors    TO-220-3    MOSFET N-CH 75V 27A TO220AB