RNF18FTD19R1 全國供應商、價格、PDF資料
RNF18FTD19R1詳細規(guī)格
- 類別:通孔電阻器
- 描述:RES 1/8W 19.1 OHM 1% AXIAL
- 系列:RN
- 制造商:Stackpole Electronics Inc
- 電阻333Ω444:19.1
- 功率333W444:0.125W,1/8W
- 成分:金屬薄膜
- 特性:阻燃涂層
- 溫度系數(shù):±100ppm/°C
- 容差:±1%
- 封裝/外殼:軸向
- 供應商器件封裝:軸向
- 大小/尺寸:0.071" 直徑 x 0.130" L(1.80mm x 3.30mm)
- 高度:-
- 端子數(shù):2
- 包裝:帶卷 (TR)
- FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬) MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP
- 配件 Matrix Orbital 8-SMD,頂部端口 COMMUNICATION/POWER CABLE
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 196 OHM 1% AXIAL
- 固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR SHIELDED 56UH .57A SMD
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC
- D-Sub ITT Cannon MICRO-D PLUG 51POS SKT 18" WIRE
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 2512(6432 公制) RES 64.9 OHM 1/2W 0.01% 2512
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8
- FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬) MOSFET P-CH D-S 60V 6-TSOP
- 固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR SHIELDED 68UH SMD
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0603(1608 公制) RES 10 OHM 1% 0603 SMD
- D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS SKT 24"
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 矩形接線盒 CAP FILM 1UF 2KVDC SCREW
- PMIC - 電源管理 - 專用 Silicon Laboratories Inc IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN