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RP1E075RPTR 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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RP1E075RPTR詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 30V 7.5A MPT6
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.5A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 7.5A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 10V
功率_最大：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-SMD，扁平引線
供應商設備封裝：MPT6
包裝：帶卷 (TR)

RP1E075RPTR詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 30V 7.5A MPT6
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.5A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 7.5A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 10V
功率_最大：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-SMD，扁平引線
供應商設備封裝：MPT6
包裝：剪切帶 (CT)

RP1E075RPTR詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 30V 7.5A MPT6
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.5A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 7.5A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 10V
功率_最大：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-SMD，扁平引線
供應商設備封裝：MPT6
包裝：Digi-Reel®

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