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» 型號(hào)"RT1206DRD076K8L"的供應(yīng)信息
RT1206DRD076K8L 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
型號(hào):
廠商:
批號(hào):
封裝:
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RT1206DRD076K8L詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:芯片電阻 - 表面安裝
描述:RES 6.80K OHM 1/4W .5% SMD 1206
系列:RT
制造商:Yageo
電阻333Ω444:6.8k
功率333W444:0.25W,1/4W
成分:薄膜
特性:-
溫度系數(shù):±25ppm/°C
容差:±0.5%
封裝/外殼:1206(3216 公制)
供應(yīng)商器件封裝:1206
大小/尺寸:0.122" L x 0.063" W(3.10mm x 1.60mm)
高度:0.026"(0.65mm)
端子數(shù):2
包裝:帶卷 (TR)
RT1206DRD076K8L供應(yīng)商
RT1206DRD076K8L
深圳市諾洋電子科技有限公司
0755-83223003
RT1206DRD076K8L
北京元坤國(guó)際科技有限公司
010-62962871、
RT1206DRD076K8L
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
13910052844(微
查看更多RT1206DRD076K8L的供應(yīng)商
SD100-41-21-231
專(zhuān)用 Advanced Photonix Inc TO-5-3 透鏡頂部金屬罐 DETECTOR/AMP RED ENH 2.54MM TO-5
SG-51P 3.2768MC:ROHS
振蕩器 EPSON 14-DIP,4 引線(全尺寸) OSCILLATOR 3.2768MHZ PDIP
RT1206DRD0768R1L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206(3216 公制) RES 68.1 OHM 1/4W .5% SMD 1206
SPI07N60C3
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3,長(zhǎng)引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262
RT0603DRD0793K1L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603(1608 公制) RES 93.1K OHM 1/10W .5% SMD 0603
RT0805CRE0759RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805(2012 公制) RES 59.0 OHM 1/8W .25% SMD 0805
RT0402BRE07165RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402(1005 公制) RES 165 OHM 1/16W .1% SMD 0402
SN74LVCZ32244AGKER
邏輯 - 緩沖器,驅(qū)動(dòng)器,接收器,收發(fā)器 Texas Instruments 96-LFBGA IC BUFF/DVR TRI-ST 32BIT 96LFBGA
SD100-43-23-232
專(zhuān)用 Advanced Photonix Inc TO-5-3 透鏡頂部金屬罐 DETECTOR/AMP UV ENH 2.54MM TO-5
SPI08N50C3
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3,長(zhǎng)引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262
RT0805CRE075K11L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805(2012 公制) RES 5.11K OHM 1/8W .25% SMD 0805
SN74LVT125DBR
邏輯 - 緩沖器,驅(qū)動(dòng)器,接收器,收發(fā)器 Texas Instruments 14-SSOP(0.209",5.30mm 寬) IC BUS BUFF TRI-ST QD 14SSOP
RT0402BRE071K21L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402(1005 公制) RES 1.21K OHM 1/16W .1% SMD 0402
RT0603DRD0793R1L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603(1608 公制) RES 93.1 OHM 1/10W .5% SMD 0603
SG-51P 3.6864MC:ROHS
振蕩器 EPSON 14-DIP,4 引線(全尺寸) OSCILLATOR 3.6864MHZ PDIP
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