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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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RT1A040ZPTR 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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RT1A040ZPTR詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 12V 4A TSST8
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：12V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2350pF @ 6V
功率_最大：1.25W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TSST
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TSST8
包裝：Digi-Reel®

RT1A040ZPTR詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 12V 4A TSST8
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：12V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2350pF @ 6V
功率_最大：1.25W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TSST
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TSST8
包裝：剪切帶 (CT)

RT1A040ZPTR詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 12V 4A TSST8
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：12V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2350pF @ 6V
功率_最大：1.25W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TSST
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TSST8
包裝：帶卷 (TR)

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