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SI1032X-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 歐姆 @ 200mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-89，SOT-490; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-89-3; 包裝：帶卷 (TR)

SI1032X-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 歐姆 @ 200mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-89，SOT-490; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-89-3; 包裝：剪切帶 (CT)

SI1032X-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 歐姆 @ 200mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-89，SOT-490; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-89-3; 包裝：Digi-Reel®

SI1032X-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 歐姆 @ 200mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-89，SOT-490; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-89-3; 包裝：Digi-Reel®

SI1032X-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 歐姆 @ 200mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-89，SOT-490; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-89-3; 包裝：帶卷 (TR)

SI1032X-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 歐姆 @ 200mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-89，SOT-490; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-89-3; 包裝：剪切帶 (CT)

SR211A560JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 56PF 100V 5% RADIAL
SR152A220JAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 22PF 200V 5% RADIAL
SMK316B7102KF-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 1000PF 630V 10% X7R 1206
SI1029X-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix SOT-563，SOT-666 MOSFET N/P-CH COMPL 60V SOT563F
MS3106F28-22S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 6POS INLINE W/SKTS
SR211A560KAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 56PF 100V 10% RADIAL
SIM3C136-B-GM
嵌入式 - 微控制器， Silicon Laboratories Inc 64-VFQFN 裸露焊盤 MCU 32BIT 32KB 64QFN
SR201A472FAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 4700PF 100V 1% RADIAL
SMK316B7103KF-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 10000PF 630V X7R 1206
MS3106F28-22SW
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 6POS INLINE W/SKTS
SIM3C166-B-GQ
嵌入式 - 微控制器， Silicon Laboratories Inc 64-TQFP MCU 32BIT 256KB 64TQFP
SR211A560KAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 56PF 100V 10% RADIAL
SR201A472FAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 4700PF 100V 1% RADIAL
SMK316B7152MF-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 1500PF 630V 20% X7R 1206
SR152A220JAATR2
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 22PF 200V 5% RADIAL

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