SI1035X-T1 全國供應商、價格、PDF資料
SI1035X-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 溝道
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:180mA,145mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 200mA,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):400mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:0.75nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:250mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SC-89-6
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI1035X-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 溝道
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:180mA,145mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 200mA,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):400mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:0.75nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:250mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SC-89-6
- 包裝:帶卷 (TR)
SI1035X-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 溝道
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:180mA,145mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 200mA,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):400mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:0.75nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:250mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SC-89-6
- 包裝:Digi-Reel®
SI1035X-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N/P-CH 20V SC-89
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 溝道
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:180mA,145mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 200mA,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):400mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:0.75nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:250mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SC-89-6
- 包裝:Digi-Reel®
SI1035X-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N/P-CH 20V SC-89
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 溝道
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:180mA,145mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 200mA,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):400mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:0.75nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:250mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SC-89-6
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI1035X-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N/P-CH 20V SC-89
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 溝道
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:180mA,145mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 200mA,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):400mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:0.75nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:250mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SC-89-6
- 包裝:帶卷 (TR)
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1206(3216 公制) CAP CER 1500PF 630V 20% X7R 1206
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 22PF 200V 5% RADIAL
- FET - 陣列 Vishay Siliconix SOT-563,SOT-666 MOSFET P-CH 20V 145MA SOT563F
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 14POS STRAIGHT W/SCKT
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 560PF 100V 10% RADIAL
- 嵌入式 - 微控制器, Silicon Laboratories Inc 64-VFQFN 裸露焊盤 MCU 32BIT USB 32KB 64QFN
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 22PF 200V 5% RADIAL
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1206(3216 公制) CAP CER 2200PF 630V 20% X7R 1206
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 4700PF 100V 10% RADIAL
- 端子 - 導線至電路板 JST Sales America Inc 80-TQFP CONN TERM CRIMP 26-28AWG TIN
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 680PF 100V 5% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 22PF 200V 5% RADIAL
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1206(3216 公制) CAP CER 0.022UF 630V X7R 1206
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 510PF 100V 2% RADIAL
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 12POS STRAIGHT W/PINS