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SI2302ADS-T1詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.1A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 3.6A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 10V; 功率_最大：700mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2302ADS-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.1A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 3.6A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 10V; 功率_最大：700mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

SI2302ADS-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.1A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 3.6A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 10V; 功率_最大：700mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2302ADS-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.1A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 3.6A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 10V; 功率_最大：700mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

SI2302ADS-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.1A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 3.6A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 10V; 功率_最大：700mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SSW-131-02-S-D-RA
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 62PS DL R/A GOLD
STCC2
配件 Stanley Electric Co 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） CONN MOD COUPLER W/SGL CABLE
SI2302ADS-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
MP4-2Q-1E-02
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
SRS-1-1.210
電路板襯墊，支座 Bivar Inc 非標(biāo)準(zhǔn) SCREW SPACER PVC 1.21X.25 #4 GY
RT9166-28GX
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線(xiàn)性 Richtek USA Inc TO-243AA IC REG LDO 2.8V .3A SOT89
SS6P4C-M3/87A
二極管，整流器 - 陣列 Vishay General Semiconductor TO-277，3-PowerDFN DIODE SCHOTTKY 6A 40V SMPC
SSW-132-02-G-D-RA
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 64PS DL R/A GOLD
SMAJ4740A-TP
單二極管/齊納 Micro Commercial Co DO-214AC，SMA DIODE ZENER 1W 10V SMA
MP4-2Q-1E-1L-1L-4R
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
SRS-1-1.215
電路板襯墊，支座 Bivar Inc 非標(biāo)準(zhǔn) SCREW SPACER PVC 1.215X.25 #4 GY
RT9166-33GX
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線(xiàn)性 Richtek USA Inc TO-243AA IC REG LDO 3.3V .3A SOT89
SSW-133-01-T-D
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 66POS DUAL TIN
SS-700810S-A-PG4-BA-50
模塊 - 插孔 Stewart Connector TO-277，3-PowerDFN CONN MOD JACK R/A 10P8C SHIELDED
SMAJ4742A-TP
單二極管/齊納 Micro Commercial Co DO-214AC，SMA DIODE ZENER 1W 12V SMA