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SI2308BDS-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：156 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 30V; 功率_最大：1.66W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

SI2308BDS-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：156 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 30V; 功率_最大：1.66W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

SI2308BDS-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：156 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 30V; 功率_最大：1.66W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2308BDS-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：156 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 30V; 功率_最大：1.66W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

SI2308BDS-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：156 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 30V; 功率_最大：1.66W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

SI2308BDS-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：156 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 30V; 功率_最大：1.66W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SR155C333KARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.033UF 50V 10% RADIAL
SRR1260-681K
固定式 Bourns Inc. 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 680UH 0.80A SMD
SI2308BDS-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
SR121A221JAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 220PF 100V 5% RADIAL
SFCF4096H1BO2TO-I-D1-523-SMA
存儲器，PC 卡 Swissbit NA Inc 徑向，Can - QC 端子 FLASH SLC UDMA/MDMA/PIO 4G
SK15AEG13
鍵鎖式 NKK Switches DO-214AB，SMC SWITCH KEYLOCK SP5T .4VA PC 9MM
RT1206CRE07866KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 866K OHM 1/4W .25% SMD 1206
SR201A821JAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 820PF 100V 5% RADIAL
SR155C392KAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 3900PF 50V 10% RADIAL
SR121A221JARTR2
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 220PF 100V 5% RADIAL
SFD44S60K391B-F
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - QC 端子 CAP FILM 60UF 440VAC QC TERM
SR155C392KAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 3900PF 50V 10% RADIAL
SK16-LTP
單二極管/整流器 Micro Commercial Co DO-214AA，SMB DIODE SCHOTTKY 1A 60V SMB
RT1206CRE0788R7L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 88.7 OHM 1/4W .25% SMD 1206
SRR1260-820M
固定式 Bourns Inc. 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 82UH 1.95A SMD