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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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SI2314 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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SI2314EDS-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.77A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：33 毫歐 @ 5A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：750mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）
包裝：剪切帶 (CT)

SI2314EDS-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.77A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：33 毫歐 @ 5A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：750mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）
包裝：帶卷 (TR)

SI2314EDS-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.77A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：33 毫歐 @ 5A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：750mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）
包裝：Digi-Reel®

SI2314EDS-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.77A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：33 毫歐 @ 5A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：750mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）
包裝：帶卷 (TR)

SI2314供應(yīng)商

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