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SI2323DS-T1詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V SOT23; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫歐 @ 4.7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1020pF @ 10V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2323DS-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫歐 @ 4.7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1020pF @ 10V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2323DS-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫歐 @ 4.7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1020pF @ 10V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

SI2323DS-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫歐 @ 4.7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1020pF @ 10V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

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