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SI3447BDV-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI3447BDV-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI3447BDV-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI3447BDV-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI3447CDV-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 6.3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：910pF @ 6V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI3447CDV-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 12V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 6.3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：910pF @ 6V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：帶卷 (TR)

MDM-51PH027K
D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS PIN 3"
RNCF1206TKT250R
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 250 OHM 1/8W 0.01% 1206
SI3447BDV-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP
SCC5D23-100
固定式 Signal Transformer 非標準 INDUCTOR SMD 10UH 1.04A 100KHZ
SI6963BDQ-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH DUAL 20V 3.4A 8TSSOP
RNF18FTD12K1
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 12.1K OHM 1% AXIAL
SD56150
RF FET STMicroelectronics M252 TRANSISTOR RF POWER LDMOST M252
SI4435DY
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
RNCF1206TKY15K0
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 15K OHM 1/8W 0.01% 1206
SI6966EDQ-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP
SCC5D23-150
固定式 Signal Transformer 非標準 INDUCTOR SMD 15UH 0.82A 100KHZ
SD5620-002
光學 - 光電檢測器 - 邏輯輸出 Honeywell Sensing and Control TO-46-3 透鏡頂部金屬罐 PHOTODETECTOR SCHMITT TO-46
RNF18FTD140K
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 140K OHM 1% AXIAL
SI4435DYPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
RNCF1210BKE169R
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1210（3225 公制） RES 169 OHM 1/5W 0.1% 1210

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