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SI3456BDV-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-TSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI3456BDV-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-TSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI3456BDV-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-TSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI3456BDV-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-TSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI3456CDV-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫歐 @ 6.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 15V; 功率_最大：3.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-TSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI3456CDV-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫歐 @ 6.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 15V; 功率_最大：3.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-TSOP; 包裝：帶卷 (TR)

RNCF1210BTT200R
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1210（3225 公制） RES 200 OHM 1/5W 0.1% 1210
SI3454CDV-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） MOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOP
SI7100DN-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
SCC68681E1A44,518
接口 - UART（通用異步接收器/發(fā)送器） NXP Semiconductors 44-LCC（J 形引線） IC DUART 44PLCC
SD600R32PC
單二極管/整流器 Vishay Semiconductors B-8 DIODE STD REC 3200V 600A B-8
RNF18FTD187R
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/8W 187 OHM 1% AXIAL
SI4455-B1A-FM
RF 收發(fā)器 Silicon Laboratories Inc 20-VFQFN 裸露焊盤 IC EZRADIO FM TRANSCEIVER SI4355
MDM-51SH003M2
D-Sub ITT Cannon MICRO-D PLUG 51POS SKT 18" WIRE
RNCF1210DTC10R0
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1210（3225 公制） RES 10 OHM 1/5W 0.5% 1210
SCC68681E1A44,529
接口 - UART（通用異步接收器/發(fā)送器） NXP Semiconductors 44-LCC（J 形引線） IC DUART 44PLCC
SD6020-100-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR SHIELDED 10UH SMD
RNF18FTD191K
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 191K OHM 1% AXIAL
SI4463BDY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC
MDM-51SH003M2
D-Sub ITT Cannon MICRO-D PLUG 51POS SKT 18" WIRE
RNCF2010BKE205K
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 2010（5025 公制） RES 205K OHM 1/4W 0.1% 2010

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