SI3900DV-T1 全國供應商、價格、PDF資料
SI3900DV-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 2.0A 6-TSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 2.4A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：830mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
- 供應商設備封裝：6-TSOP
- 包裝：Digi-Reel®
SI3900DV-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 2.0A 6-TSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 2.4A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：830mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
- 供應商設備封裝：6-TSOP
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI3900DV-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 2.0A 6-TSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 2.4A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：830mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
- 供應商設備封裝：6-TSOP
- 包裝：帶卷 (TR)
SI3900DV-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 2.4A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：830mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
- 供應商設備封裝：6-TSOP
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI3900DV-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 2.4A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：830mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
- 供應商設備封裝：6-TSOP
- 包裝：Digi-Reel®
SI3900DV-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 2.4A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：830mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
- 供應商設備封裝：6-TSOP
- 包裝：帶卷 (TR)
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS 1.5KW BIDIR 16V 10% SMC
- FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
- FFC，F(xiàn)PC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 FCI 模塊 CONN FPC/FFC 10POS .5MM R/A SMD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 16-DIP（0.300"，7.62mm），4 引線 SHUNT 7.5A .1V FOR SDV-FL
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS 1.5KW BIDIR 7.5V 5% SMC
- 支架 - 元件 Hammond Manufacturing SC-70，SOT-323 SHELF SLIDE 21X16.6X1.5" BE/GY
- 振蕩器 EPSON 4-SOJ，5.08mm 間距 OSCILLATOR 12.2880MHZ SMD
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS UNIDIRECT 1.5KW 16V 10% SMC
- 光隔離器 - 晶體管，光電輸出 Vishay Semiconductor Opto Division 4-DIP（0.300"，7.62mm） OPTOCOUPLER PHOTOTRANS 320% 4DIP
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS 1.5KW BIDIR 7.5V 10% SMC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 16-DIP（0.300"，7.62mm），4 引線 SHUNT 7.5A .1V FOR SDV-FL
- 支架 - 元件 Hammond Manufacturing SHELF SLIDE 21X16.6X1.5" BE/GY
- 振蕩器 EPSON 4-SOJ，5.08mm 間距 OSCILLATOR 14.4756MHZ SMD
- TVS - 二極管 Littelfuse Inc DO-214AB，SMC DIODE TVS 170V 1500W UNIDIR SMC
- 光隔離器 - 晶體管，光電輸出 Vishay Semiconductor Opto Division * OPTOCOUPLER PHOTOTRANS 125% 4SMD
0755-23140719 
