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庫(kù)存索引50
» 型號(hào)"SI410"的供應(yīng)信息
SI410 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
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SI4100DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.8A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:63 毫歐 @ 4.4A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:600pF @ 50V
功率_最大:6W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)
SI4100DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.8A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:63 毫歐 @ 4.4A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:600pF @ 50V
功率_最大:6W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
包裝:Digi-Reel®
SI4100DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.8A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:63 毫歐 @ 4.4A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:600pF @ 50V
功率_最大:6W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
包裝:剪切帶 (CT)
SI4100DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.8A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:63 毫歐 @ 4.4A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:600pF @ 50V
功率_最大:6W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)
SI4102DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.8A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:158 毫歐 @ 2.7A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:370pF @ 50V
功率_最大:4.8W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)
SI4102DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.8A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:158 毫歐 @ 2.7A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:370pF @ 50V
功率_最大:4.8W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:剪切帶 (CT)
SI410供應(yīng)商
SI4101DY-T1-GE3
深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司
0755-82561519
SI4101DY-T1-GE3
深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司
0755-82561519
SI4101DY-T1-GE3
深圳市裕碩科技有限公司
0755-23613962
SI4100DY-T1-GE3
深圳市壹芯創(chuàng)科技有限公司
0755-82780082
SI4101DY-T1-GE3
北京元坤國(guó)際科技有限公司
010-62962871、
SI4104DY-T1-GE3
深圳市百域芯科技有限公司
075582788161
SI4108DY-T1-GE3
上海鑫豐電子技術(shù)有限公司
021-51875986/
SI4100DY-T1-E3
深圳市恒意法電子有限公司
18026926850/0
SI4101DY-T1-GE3
深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司
13410941925
SI4101DY-T1-GE3
深圳信泰電子器材有限公司
0755-83242658
SI4102DY-T1-E3
深圳市楷瑞達(dá)科技電子有限公司
13528893675
SI4101DY-T1-GE3
深圳市銀芯龍科技有限公司
13510131896
SI4106DH-T1-E3
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司
0755-88917652
SI4101DY-T1-GE3
深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司
0755-82561519
SI4104DY-T1-GE3
深圳市富樂(lè)亞科技有限公司
0755-18503085
SI4104DY-T1-GE
深圳市源豐誠(chéng)電子科技有限公司
0755-23919407
查看更多SI410的供應(yīng)商
SI7160DP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI4032-B1-FM
RF 發(fā)射器 Silicon Laboratories Inc 20-VFQFN 裸露焊盤(pán) IC TX 240-930MHZ 1-20DB 20VQFN
SD6XA-032G-000000
固態(tài)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器 SanDisk - SSD ULTRA320 SCSI 32GB
RNF18FTD226K
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 226K OHM 1% AXIAL
MDM-51SSK
D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS SKT SOLDER CUP
RNCP0603FTD2K21
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0603(1608 公制) RES 2.21K OHM 1/8W 1% 0603 SMD
SCD55104A
顯示器模塊 - LED 點(diǎn)陣和簇 OSRAM Opto Semiconductors Inc 矩形接線盒 DISPLAY 10CHAR .145" 5X5 HEG
SI4500BDY-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N/P-CH HALF BRG 20V 8SOIC
SI7164DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 60V 60A PPAK 8SOIC
RNF18FTD226R
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/8W 226 OHM 1% AXIAL
MDM-51SSL
D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS SKT SOLDER CUP
RNCP0603FTD33R2
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0603(1608 公制) RES 33.2 OHM 1% 0603 SMD
SI4500BDY-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N/P-CH 8-SOIC
SCD684K122A3Z25-F
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 矩形接線盒 CAP FILM 0.68UF 1.2KVDC SCREW
SD6XB-304G-000000
固態(tài)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器 SanDisk - SSD ULTRA320 SCSI 304GB
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