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SI4154DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：36A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：105nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4230pF @ 20V; 功率_最大：7.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4154DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：36A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：105nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4230pF @ 20V; 功率_最大：7.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4154DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：36A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：105nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4230pF @ 20V; 功率_最大：7.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4156DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：24A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 15.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 15V; 功率_最大：6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4156DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：24A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 15.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 15V; 功率_最大：6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4156DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：24A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 15.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 15V; 功率_最大：6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

RT28516
配件 TE Connectivity 2010（5025 公制） CLIP RETAINING METAL PCB
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芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 845K OHM 1/8W .1% SMD 0805
SR151A102JAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1000PF 100V 5% RADIAL
SI4136M-EVB
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SFR2500002001FR500
通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 2.00K OHM METAL FILM .40W 1%
SI6433BDQ-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
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DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模塊（6 引線） CONV DC/DC 2W 12VIN +/-09VOUT
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RT314A06
功率，高于 2 安 TE Connectivity 2010（5025 公制） RELAY GEN PURPOSE SPDT 16A 6V
SR151A120JAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 12PF 100V 5% RADIAL
RT0402CRE07147RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 147 OHM 1/16W .25% SMD 0402
SI6435ADQ-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
RT314F12
功率，高于 2 安 TE Connectivity 2010（5025 公制） RELAY GEN PURPOSE SPDT 16A 12V
SH166S144
傳感器電纜 - 配件 Conxall/Switchcraft SHIELDED DC MICRO-MIZER
RT0805BRE0790R9L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 90.9 OHM 1/8W .1% SMD 0805

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