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SI4378DY-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 25A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8500pF @ 10V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4378DY-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 25A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8500pF @ 10V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4378DY-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 25A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8500pF @ 10V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4378DY-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 25A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8500pF @ 10V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4378DY-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 25A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8500pF @ 10V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4378DY-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 25A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8500pF @ 10V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4559ADY-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
SR215A150KAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 15PF 50V 10% RADIAL
RT17017
配件 TE Connectivity 9-LBGA RETAINING CLIP FOR 15.7MM RT78
SI4368DY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
SST49LF016C-33-4C-NHE
存儲器 Microchip Technology 32-LCC（J 形引線） IC FLASH SER LPC 16MBIT 32PLCC
MNR14E0APJ200
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 20 OHM 4 RES 1206
SM6T15A-E3/52
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA，SMB TVS UNIDIR 600W 15V 5% SMB
RTW486R5H
AC DC 轉(zhuǎn)換器 TDK-Lambda Americas Inc SC-70，SOT-323 POWER SUPPLY IND 48V 6.5A 312W
SR215A150KARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 15PF 50V 10% RADIAL
RT17040
配件 TE Connectivity 9-LBGA MARKING TAG FOR RT78
SST49LF016C-33-4C-WHE-T
存儲器 Microchip Technology 32-TFSOP（0.488"，12.40mm 寬） IC FLASH SER LPC 16MBIT 32TSOP
MNR14E0APJ202
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 2K OHM 4 RES 1206
SM6T15AY
TVS - 二極管 STMicroelectronics DO-214AA，SMB TRANSIL 600W 15V UNIDIR SMB
RTY060HVEAX
成角度，線性位置測量 Honeywell Sensing and Control SC-70，SOT-323 SENSOR HALL EFFECT ROTARY
SI-46014-F
模塊 - 帶磁性元件的插座 Stewart Connector 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） CONN MAGJACK 1PT 10/100BTX Y/G

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