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庫(kù)存索引1178
» 型號(hào)"SI4420DY"的供應(yīng)信息
SI4420DY 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
型號(hào):
廠商:
批號(hào):
封裝:
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深圳外
SI4420DY詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12.5A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫歐 @ 12.5A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2180pF @ 15V
功率_最大:1W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)
SI4420DY詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12.5A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫歐 @ 12.5A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:78nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2240pF @ 15V
功率_最大:2.5W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
包裝:管件
SI4420DY,518詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 12.5A SOT96-1
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:-
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫歐 @ 12.5A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:120nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:2.5W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)
SI4420DYPBF詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12.5A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫歐 @ 12.5A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:78nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2240pF @ 15V
功率_最大:2.5W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
包裝:管件
SI4420DYTR詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12.5A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫歐 @ 12.5A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:78nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2240pF @ 15V
功率_最大:2.5W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)
SI4420DYTRPBF詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12.5A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫歐 @ 12.5A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:78nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2240pF @ 15V
功率_最大:2.5W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)
SI4420DY供應(yīng)商
SI4420DY-T1
深圳市高勝電子經(jīng)營(yíng)部
755-83258123
SI4420DY-T1
深圳市大唐盛世半導(dǎo)體有限公司
13008842056
SI4420DYTRPBF
深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
0755-88291559
SI4420DY
深圳市金嘉銳電子有限公司
0755-22929859
SI4420DY-T1
北京元坤國(guó)際科技有限公司
010-62962871、
SI4420DY-T1
深圳市銀芯龍科技有限公司
13510131896
SI4420DY-T1-E3
深圳市百域芯科技有限公司
075582788161
SI4420DY
深圳市萊利爾科技有限公司
0755-8322-538
SI4420DYTRPBF
深圳市昌和盛利電子有限公司
0755-83679110
SI4420DY
深圳市海虹微電子有限公司
0755-83291010
SI4420DY
深圳和潤(rùn)天下電子科技有限公司
0755-83798683
SI4420DY-T1-E3
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
18922805453
SI4420DY-T1-E3
深圳市美思瑞電子科技有限公司
0755-83951431
SI4420DY-T1-GE3
深圳市易信優(yōu)科技有限公司
0755-23914006
SI4420DYPBF
江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司
18913062888
SI4420DY-T1-E3
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司
0755-82569753
查看更多SI4420DY的供應(yīng)商
RNCF1206DTE4K42
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 4.42K OHM 1/8W 0.5% 1206
SI6544BDQ-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) MOSFET N/P-CH 30V 8-TSSOP
SCC2692AC1A44,529
接口 - UART(通用異步接收器/發(fā)送器) NXP Semiconductors 44-LCC(J 形引線) IC DUART SOT187-2
SI4420BDY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
SD52-270-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER SHIELD 27UH SMD
RNF18FTC432K
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 432K OHM 1% AXIAL
MDM-51PH004P
D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS PIN 24"
RNCF1206DTE5K36
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 5.36K OHM 1/8W 0.5% 1206
SI3407DV-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬) MOSFET P-CH 20V 6-TSOP
SCC2692AC1N28,129
接口 - UART(通用異步接收器/發(fā)送器) NXP Semiconductors 28-DIP(0.600",15.24mm) IC DUART 28-DIP
SD53-100-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR SHIELDED 10.0UH SMD
RNF18FTC511R
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 511 OHM 1% AXIAL
MDM-51PH005F
D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS PIN 30"
RNCF1206DTE619R
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 619 OHM 1/8W 0.5% 1206
SI6925ADQ-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) MOSFET DL N-CH 20V 3.9A 8-TSSOP
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