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當(dāng)前位置：網(wǎng)站首頁 » 庫存索引103 » 型號(hào)"SI4425B"的供應(yīng)信息

SI4425B 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

SI4425BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 11.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4425BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 11.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4425BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 11.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4425BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 11.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SD53-1R1-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCT SHIELDED 1.1UH 3.25A SMD
RNF18FTC5K62
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 5.62K OHM 1% AXIAL
SI4425BDY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
MDM-51PH005K
D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS PIN 30"
RNCF1206DTE634R
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 634 OHM 1/8W 0.5% 1206
SI3424DV-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
SI6928DQ-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 30V 4.0A 8TSSOP
SCC2692AE1N28,602
接口 - UART（通用異步接收器/發(fā)送器） NXP Semiconductors 28-DIP（0.600"，15.24mm） IC DUART 28-DIP
RNF18FTC73R2
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/8W 73.2 OHM 1% AXIAL
RNCF1206DTE6K49
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 6.49K OHM 1/8W 0.5% 1206
MDM-51PH005P
D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS PIN 30"
SI6928DQ-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 30V 4.0A 8TSSOP
SI3430DV-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） MOSFET N-CH 100V 6-TSOP
RNF18FTD100K
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/8W 100K OHM 1% AXIAL
SI4425DDY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC