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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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SI4430 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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SI4430-A0-FM詳細規(guī)格

類別:RF 收發(fā)器
描述:IC TXRX ISM 930MHZ 3.6V 20-QFN
系列:EZRadioPRO®
制造商:Silicon Laboratories Inc
頻率:900MHz ~ 960MHz
數(shù)據(jù)傳輸率_最大:128kbps
調(diào)制或協(xié)議:FSK,GFSK,OOK
應(yīng)用:-
功率_輸出:13dBm
靈敏度:-118dBm
電源電壓:1.8 V ~ 3.6 V
電流_接收:18.5mA
電流_傳輸:28mA
數(shù)據(jù)接口:PCB,表面貼裝
存儲容量:-
天線連接器:PCB,表面貼裝
工作溫度:-40°C ~ 85°C
封裝/外殼:20-VFQFN 裸露焊盤
包裝:管件

SI4430-B1-FM詳細規(guī)格

類別:RF 收發(fā)器
描述:IC TXRX 900-960MHZ -8-13DB 20QFN
系列:EZRadioPRO®
制造商:Silicon Laboratories Inc
頻率:900MHz ~ 960MHz
數(shù)據(jù)傳輸率_最大:256kbps
調(diào)制或協(xié)議:ISM
應(yīng)用:通用
功率_輸出:13dBm
靈敏度:-121dBm
電源電壓:1.8 V ~ 3.6 V
電流_接收:18.5mA
電流_傳輸:30mA
數(shù)據(jù)接口:PCB,表面貼裝
存儲容量:-
天線連接器:PCB,表面貼裝
工作溫度:-40°C ~ 85°C
封裝/外殼:20-VFQFN 裸露焊盤
包裝:管件

SI4430-B1-FMR詳細規(guī)格

類別:RF 收發(fā)器
描述:IC TXRX 900-960MHZ -8-13DB 20QFN
系列:EZRadioPRO®
制造商:Silicon Laboratories Inc
頻率:900MHz ~ 960MHz
數(shù)據(jù)傳輸率_最大:256kbps
調(diào)制或協(xié)議:ISM
應(yīng)用:通用
功率_輸出:13dBm
靈敏度:-121dBm
電源電壓:1.8 V ~ 3.6 V
電流_接收:18.5mA
電流_傳輸:30mA
數(shù)據(jù)接口:PCB,表面貼裝
存儲容量:-
天線連接器:PCB,表面貼裝
工作溫度:-40°C ~ 85°C
封裝/外殼:20-VFQFN 裸露焊盤
包裝:帶卷 (TR)

SI4430BDY-T1-E3詳細規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:14A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 20A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.6W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:Digi-Reel®

SI4430BDY-T1-E3詳細規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:14A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 20A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.6W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)

SI4430BDY-T1-E3詳細規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:14A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 20A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.6W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:剪切帶 (CT)

SI4430供應(yīng)商

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