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SI4434DY-T1-GE3 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：

SI4434DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH D-S 250V 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：250V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.1A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫歐 @ 3A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.56W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：Digi-Reel®

SI4434DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH D-S 250V 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：250V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.1A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫歐 @ 3A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.56W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

SI4434DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH D-S 250V 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：250V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.1A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫歐 @ 3A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.56W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：剪切帶 (CT)

• SI4401BDY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

• RTD-2415/P

  DC DC Converters    Recom Power    10-DIP SMD 模塊（6 引線）    CONV DC/DC 2W 24VIN +/-15VOUT

• SI4434DY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

• RT0805CRD0722R6L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0805（2012 公制）    RES 22.6 OHM 1/8W .25% SMD 0805

• SI7190DP-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET N-CH D-S 250V 8-SOIC

• RT0402CRE0743K2L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0402（1005 公制）    RES 43.2KOHM 1/16W .25% SMD 0402

• SH470M160ST

  電容器    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    徑向，Can    CAP ALUM 47UF 160V 20% RADIAL

• SI4401DDY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 40V 8-SOIC

• SR151A270JARTR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 27PF 100V 5% RADIAL

• RT0805CRD07232RL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0805（2012 公制）    RES 232 OHM 1/8W .25% SMD 0805

• SH50C-2.0-150

  固定式    AlfaMag Electronics, LLC    徑向    INDUCTOR 150UH 2.0A 50KHZ CLP

• RT0402CRE0744R2L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0402（1005 公制）    RES 44.2 OHM 1/16W .25% SMD 0402

• SI7192DP-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET N-CH 30V 60A PPAK 8SOIC

• SI4403BDY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-SOIC

• SR151A270KAT

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 27PF 100V 10% RADIAL