SI4446DY-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.9A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 5.2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 20V
- 功率_最大：1.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：Digi-Reel®
SI4446DY-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.9A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 5.2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 20V
- 功率_最大：1.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
SI4446DY-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.9A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 5.2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 20V
- 功率_最大：1.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI4446DY-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.9A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 5.2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 20V
- 功率_最大：1.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
SI4446DY-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.9A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 5.2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 20V
- 功率_最大：1.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI4446DY-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.9A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 5.2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 20V
- 功率_最大：1.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：Digi-Reel®
- RF 接收器 Silicon Laboratories Inc 24-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC RX AM/FM/WB RADIO 24SSOP
- LED- 高亮度電源模塊 Luminus Devices Inc 40-DIP（0.600"，15.24mm） BIG CHIP LED HB MODULE WHITE
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
- FET - 單 Rohm Semiconductor SC-96 MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 網絡、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 82K OHM 4 RES 1206
- TVS - 二極管 STMicroelectronics DO-214AA，SMB TRANSIL 600W 39V BIDIR SMB
- RF 接收器 Silicon Laboratories Inc 20-UFQFN 裸露焊盤 IC RX AM/FM/WB RDS/RBDS 20UQFN
- 單二極管/整流器 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 DIODE 200V 4A DPAK
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- TVS - 二極管 STMicroelectronics DO-214AA，SMB TRANSIL 600W 39V BIDIR SMB
- RF 評估和開發(fā)套件，板 Silicon Laboratories Inc 24-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） BOARD EVAL SI4737 VERSION C
- 網絡、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 82K OHM 4 RES 1206
- 單二極管/整流器 Fairchild Semiconductor TO-251-2，IPak DIODE ULTRA FAST 6A 600V I-PAK
- LED- 高亮度電源模塊 Luminus Devices Inc 40-DIP（0.600"，15.24mm） BIG CHIP LED HB MODULE WHITE
0755-23051326 
0755-23919407 
