SI4453DY-T1 全國供應商、價格、PDF資料
SI4453DY-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH D-S 12V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 14A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 600µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：165nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
SI4453DY-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH D-S 12V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 14A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 600µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：165nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - QC 端子 CAP FILM 80UF 370VAC QC TERM
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH D-S 12V 8-SOIC
- 連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 7POS BOX MNT W/PINS
- IGBT - 單路 Infineon Technologies TO-220-3 IGBT NPT 1200V 30A 198W TO220-3
- 連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 53POS WALL MNT W/SCKT
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 1.5 OHM 10W 5% WIREWOUND
- 鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 100UF 16V 10% 2917
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - QC 端子 CAP FILM 50UF 440VAC QC TERM
- IGBT - 單路 Fairchild Semiconductor TO-220-3 IGBT SHORT CIRC 600V 15A TO-220
- 連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 53POS WALL MNT W/SCKT
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 220 OHM 10W 5% WIREWOUND
- 鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 100UF 20V 20% 2917
- 熱縮管 3M 6-PLCC HEATSHRINK SFTW203 1/16" BLK
- IGBT - 單路 Fairchild Semiconductor TO-220-3 IGBT W/DIODE 600V TO-220
- 連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 22 POS BOX MNT W/SCKT
0755-88917652 
0755-23919407 
