SI4463 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

SI4463-915-DK詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：RF 評(píng)估和開(kāi)發(fā)套件，板

描述：KIT DEV WIRELESS SI4463 915MHZ

系列：EZRadioPRO®

制造商：Silicon Laboratories Inc

類(lèi)型：收發(fā)器，ISM

頻率：915MHz

適用于相關(guān)產(chǎn)品：Si4463

已供物品：8 個(gè)板，天線，電池，線纜，電源，軟件

SI4463-B0B-FM詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：RF 收發(fā)器

描述：TRANSCEIVER RF EZRADIO PRO 20QFN

系列：EZRadioPRO®

制造商：Silicon Laboratories Inc

頻率：142MHz ~ 1.05GHz

數(shù)據(jù)傳輸率_最大：1Mbps

調(diào)制或協(xié)議：FSK，GFSK，MSK，ASK，OOK

應(yīng)用：住宅/樓宇自動(dòng)化，工業(yè)控制

功率_輸出：20dBm

靈敏度：-124dBm

電源電壓：1.8 V ~ 3.6 V

電流_接收：13mA

電流_傳輸：85mA

數(shù)據(jù)接口：PCB，表面貼裝

存儲(chǔ)容量：-

天線連接器：PCB，表面貼裝

工作溫度：-40°C ~ 85°C

封裝/外殼：20-VFQFN 裸露焊盤(pán)

包裝：管件

SI4463-B1B-FM詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：RF 收發(fā)器

描述：TXRX ISM EZ RADIO PRO 20QFN

系列：EZRadioPRO®

制造商：Silicon Laboratories Inc

頻率：142MHz ~ 1.05GHz

數(shù)據(jù)傳輸率_最大：1Mbps

調(diào)制或協(xié)議：FSK，GFSK，MSK，ASK，OOK

應(yīng)用：住宅/樓宇自動(dòng)化，工業(yè)控制

功率_輸出：20dBm

靈敏度：-124dBm

電源電壓：1.8 V ~ 3.6 V

電流_接收：13mA

電流_傳輸：85mA

數(shù)據(jù)接口：PCB，表面貼裝

存儲(chǔ)容量：-

天線連接器：PCB，表面貼裝

工作溫度：-40°C ~ 85°C

封裝/外殼：*

包裝：*

SI4463BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.8A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 13.7A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.5W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：剪切帶 (CT)

SI4463BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.8A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 13.7A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.5W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：Digi-Reel®

SI4463BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.8A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 13.7A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.5W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

• RTW0560RH

  AC DC 轉(zhuǎn)換器    TDK-Lambda Americas Inc    SC-70，SOT-323    POWER SUPPLY IND 5V 60A 300W

• SR212A820GAA

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 82PF 200V 2% RADIAL

• SI4456DY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

• MNR14E0ABJ750

  網(wǎng)絡(luò)、陣列    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制），凸起    RES ARRAY 75 OHM 4 RES 1206

• SM6S20HE3/2D

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Diodes Division    DO-218AB    TVS 6W 20V 10% SMD DO-218AB

• SST39WF1601-70-4C-MBQE-T

  存儲(chǔ)器    Microchip Technology    48-WFBGA    IC FLASH MPF 16MBIT 70NS 48WFBGA

• RT1220Q-103-M

  芯片電阻 - 表面安裝    Susumu    0805（2012 公制）    RES 10K OHM TRIMMABLE 0805

• SI4210-G-RF-EVB

  過(guò)時(shí)/停產(chǎn)零件編號(hào)    Silicon Laboratories Inc        BOARD RADIO FOR SI4210,SI4300

• RTW1212R

  AC DC 轉(zhuǎn)換器    TDK-Lambda Americas Inc    SC-70，SOT-323    POWER SUPPLY IND 12V 12.5A 150W

• SM6S22-E3/2D

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Diodes Division    DO-218AB    TVS 6W 22V 10% SMD DO-218AB

• MNR14E0ABJ752

  網(wǎng)絡(luò)、陣列    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制），凸起    RES ARRAY 7.5K OHM 4 RES 1206

• SST39WF1601-70-4I-MBQE

  存儲(chǔ)器    Microchip Technology    48-WFBGA    IC FLASH MPF 16MBIT 70NS 48WFBGA

• RT134012F

  功率，高于 2 安    TE Connectivity    24-TBGA    RELAY GEN PURPOSE SPST 12A 12V

• SI4214DDY-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC

• RTW1225RL

  AC DC 轉(zhuǎn)換器    TDK-Lambda Americas Inc    SC-70，SOT-323    POWER SUPPLY IND 12V 25A 300W