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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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SI4464 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
按地區(qū):全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

SI4464-B1B-FM詳細(xì)規(guī)格

類別:RF 收發(fā)器
描述:TXRX ISM EZ RADIO PRO 20QFN
系列:EZRadioPRO®
制造商:Silicon Laboratories Inc
頻率:119MHz ~ 960MHz
數(shù)據(jù)傳輸率_最大:1Mbps
調(diào)制或協(xié)議:FSK,GFSK,MSK,ASK,OOK
應(yīng)用:住宅/樓宇自動(dòng)化,工業(yè)控制
功率_輸出:20dBm
靈敏度:-124dBm
電源電壓:1.8 V ~ 3.6 V
電流_接收:13.6mA
電流_傳輸:85mA
數(shù)據(jù)接口:PCB,表面貼裝
存儲(chǔ)容量:-
天線連接器:PCB,表面貼裝
工作溫度:-40°C ~ 85°C
封裝/外殼:*
包裝:*

SI4464-B1X-FM詳細(xì)規(guī)格

類別:RF 收發(fā)器
描述:TRANSCEIVER RF EZRADIO PRO 20QFN
系列:EZRadioPRO®
制造商:Silicon Laboratories Inc
頻率:119MHz ~ 960MHz
數(shù)據(jù)傳輸率_最大:1Mbps
調(diào)制或協(xié)議:FSK,GFSK,MSK,ASK,OOK
應(yīng)用:住宅/樓宇自動(dòng)化,工業(yè)控制
功率_輸出:20dBm
靈敏度:-124dBm
電源電壓:1.8 V ~ 3.6 V
電流_接收:13.6mA
電流_傳輸:85mA
數(shù)據(jù)接口:PCB,表面貼裝
存儲(chǔ)容量:-
天線連接器:PCB,表面貼裝
工作溫度:-40°C ~ 85°C
封裝/外殼:20-VFQFN 裸露焊盤(pán)
包裝:管件

SI4464DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.7A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫歐 @ 2.2A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:Digi-Reel®

SI4464DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.7A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫歐 @ 2.2A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:剪切帶 (CT)

SI4464DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.7A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫歐 @ 2.2A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)

SI4464DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.7A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫歐 @ 2.2A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:Digi-Reel®

SI4464供應(yīng)商

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