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SI4464DY-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 2.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4464DY-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 2.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4464DY-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 2.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4464DY-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 2.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4464DY-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 2.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4464DY-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 2.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

RTE0300G03
DIP C&K Components SC-75，SOT-416 SWITCH ROTARY SLOT SEAL 3POS SMD
SI4411DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
SR151A271KAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 270PF 100V 10% RADIAL
SI4464DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC
RT0805CRD072K2L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 2.20K OHM 1/8W .25% SMD 0805
SI7224DN-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 雙 MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
RT0402CRE0751KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 51.0KOHM 1/16W .25% SMD 0402
RTE0300G04
DIP C&K Components SC-75，SOT-416 SWITCH ROTARY SLOT SEAL 3POS SMD
SH516P6S36
傳感器電纜 - 配件 Conxall/Switchcraft 徑向 SHLD MINIMIZER STR EXTENSION
SI4413ADY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
SR151A2R2DAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 2.2PF 100V RADIAL
RT0402CRE07536RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 536 OHM 1/16W .25% SMD 0402
SI7224DN-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 雙 MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
RTE0300R05
DIP C&K Components SC-75，SOT-416 SWITCH ROTARY SLOT REV SP SILVER
SH562S2S144
傳感器電纜 - 配件 Conxall/Switchcraft 徑向 SHIELDED DC MICRO-MIZER

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