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SI4484EY-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫歐 @ 6.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4484EY-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫歐 @ 6.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4484EY-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫歐 @ 6.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4484EY-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫歐 @ 6.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4484EY-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫歐 @ 6.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4484EY-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫歐 @ 6.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4472DY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
MNR14E0APJ104
網(wǎng)絡、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 100K OHM 4 RES 1206
SM6T100CA-E3/5B
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA，SMB TVS BIDIR 600W 100V 5% SMB
RT1417B7TR7
網(wǎng)絡、陣列 CTS Resistor Products 24-TBGA RES NET 4.7K OHM 16 RES 24TBGA
SST39WF800A-90-4C-M2QE-T
存儲器 Microchip Technology 48-WFBGA IC FLASH MPF 8MBIT 90NS 48WFBGA
SI4300-EVB
過時/停產(chǎn)零件編號 Silicon Laboratories Inc BOARD EVAL FOR SI4300
RTW242R2C
AC DC 轉(zhuǎn)換器 TDK-Lambda Americas Inc SC-70，SOT-323 POWER SUPPLY IND 24V 2.2A 53W
SR215A102JAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1000PF 50V 5% RADIAL
SM6T100CAHE3/52
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA，SMB TVS BIDIR 600W 100V 5% SMB
SST39WF800A-90-4I-B3KE
存儲器 Microchip Technology 48-TFBGA IC FLASH MPF 8MBIT 90NS 48TFBGA
RT1451B6TR7
網(wǎng)絡、陣列 CTS Resistor Products 18-LBGA RES NET 25 OHM 16 RES 18-LBGA
RTW2811RH
AC DC 轉(zhuǎn)換器 TDK-Lambda Americas Inc SC-70，SOT-323 POWER SUPPLY IND 28V 11A 308W
SI4313-B1-FM
RF 接收器 Silicon Laboratories Inc 20-VFQFN 裸露焊盤 IC RX FSK 315-915MHZ 20VQFN
SM6T12A
TVS - 二極管 STMicroelectronics DO-214AA，SMB TRANSIL 600W 12V UNIDIR SMB
MNR14E0APJ105
網(wǎng)絡、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 1M OHM 4 RES 1206

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