SI4493DY-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.75 毫歐 @ 14A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設(shè)備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
SI4493DY-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.75 毫歐 @ 14A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設(shè)備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
- DIP C&K Components SC-75,SOT-416 SWITCH ROTARY 10POS BCD SMT
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 330PF 100V 5% RADIAL
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8
- 傳感器電纜 - 配件 Conxall/Switchcraft SHLD MINIMIZER DOUBLE-ENDED STRT
- DIP C&K Components SC-75,SOT-416 SWITCH ROTARY 10POS BCD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402(1005 公制) RES 62.0KOHM 1/16W .25% SMD 0402
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 330PF 100V 5% RADIAL
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 20V 13A PPAK 8SOIC
- 傳感器電纜 - 配件 Conxall/Switchcraft SHLD MINIMIZER DOUBLE-ENDED STRT
- DIP C&K Components SC-75,SOT-416 SWITCH ROTARY ESD EXT SHAFT REV
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402(1005 公制) RES 649 OHM 1/16W .25% SMD 0402
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 330PF 100V 5% RADIAL
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC