SI4812 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

SI4812BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 9.5A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.4W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

SI4812BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 9.5A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.4W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：剪切帶 (CT)

SI4812BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 9.5A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.4W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：Digi-Reel®

SI4812BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC

系列：LITTLE FOOT®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 9.5A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.4W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：Digi-Reel®

SI4812BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC

系列：LITTLE FOOT®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 9.5A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.4W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

SI4812BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC

系列：LITTLE FOOT®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 9.5A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.4W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：剪切帶 (CT)

• SHIPLBL-061-50

  標(biāo)簽，標(biāo)記    3M (TC)        LABEL 5X3" BLACK ON GREEN 50/PK

• SR151C681KAA

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 680PF 100V 10% RADIAL

• SI4804CDY-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

• SI7848BDP-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET N-CH 40V 47A PPAK 8SOIC

• SR215E154MAR

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 0.15UF 50V 20% RADIAL

• SHIPLBL-063-50

  標(biāo)簽，標(biāo)記    3M (TC)        LABEL 5X3" BLACK ON YELLOW 50/PK

• SQCAEM1R9CAJME

  陶瓷    AVX Corporation    0605（1613 公制）    CAP CER 1.9PF 150V 0605

• SR151C681KAATR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 680PF 100V 10% RADIAL

• SQCB9M181JAJWE

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 180PF 300V 5% 1111

• SR215E224MAA

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 0.22UF 50V 20% RADIAL

• SQCAEM200JAJME

  陶瓷    AVX Corporation    0605（1613 公制）    CAP CER 20PF 150V 5% 0605

• SR151C681KAR

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 680PF 100V 10% RADIAL

• SHIPLBL-065

  標(biāo)簽，標(biāo)記    3M (TC)        LABEL 5X3" BLACK ON YEL 500/PK

• SQCB9M181JATME\500

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 180PF 300V 5% 1111

• SI7858BDP-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET N-CH 12V 40A 8SOIC