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SI4825DDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：86nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2550pF @ 15V; 功率_最大：5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4825DDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：86nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2550pF @ 15V; 功率_最大：5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4825DDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：86nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2550pF @ 15V; 功率_最大：5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4825DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 11.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4825DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 11.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4825DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 11.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SR767C224MAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.22UF 500V 20% RADIAL
SI4822-A10-CU
RF 接收器 Silicon Laboratories Inc 24-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC RCVR AM/FM MECH DGTL 24-SSOP
SR217A101KAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 100PF 500V 10% RADIAL
SQCAEM240FAJME\500
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 24PF 150V 1% 0605
SHIPLBL-073
標(biāo)簽，標(biāo)記 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON RED 500/PK
SQCB9M201JAJME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 200PF 300V 5% 1111
SR151E103MAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 10000PF 100V 20% RADIAL
SR767C224MAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.22UF 500V 20% RADIAL
SI7860DP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SQCB9M201JAJME\500
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 200PF 300V 5% 1111
SQCAEM240FATME\500
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 24PF 150V 1% 0605
SHIPLBL-074
標(biāo)簽，標(biāo)記 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON RED 500/PK
RT0603DRD07107RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 107 OHM 1/10W .5% SMD 0603
SI7862ADP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 16V PPAK 8SOIC
SR768C224MARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.22UF 400V 20% RADIAL

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