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» 型號(hào)"SI4829DY-T1-GE3"的供應(yīng)信息
SI4829DY-T1-GE3 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
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SI4829DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
系列:LITTLE FOOT®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:215 毫歐 @ 2.5A,4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:210pF @ 10V
功率_最大:3.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:剪切帶 (CT)
SI4829DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
系列:LITTLE FOOT®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:215 毫歐 @ 2.5A,4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:210pF @ 10V
功率_最大:3.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)
SI4829DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
系列:LITTLE FOOT®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:215 毫歐 @ 2.5A,4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:210pF @ 10V
功率_最大:3.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:Digi-Reel®
SI4829DY-T1-GE3供應(yīng)商
SI4829DY-T1-GE3
深圳市銀芯龍科技有限公司
13510131896
SI4829DY-T1-GE3
深圳市高勝電子經(jīng)營(yíng)部
755-83258123
SI4829DY-T1-GE3
深圳市銀芯龍科技有限公司
13510131896
SI4829DY-T1-GE3
深圳市高勝電子經(jīng)營(yíng)部
755-83258123
SI4829DY-T1-GE3
深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司
0755-82561519
SI4829DY-T1-GE3
深圳市芯澤盛世科技有限公司
0755-89697985
Si4829DY-T1-GE3
深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
0755-88291559
SI4829DY-T1-GE3
深圳市諾洋電子科技有限公司
0755-83223003
SI4829DY-T1-GE3
深圳市芯福林電子科技有限公司
0755-82574045
SI4829DY-T1-GE3
深圳市科雨電子有限公司
171-4729-9698
SI4829DY-T1-GE3
深圳市易信優(yōu)科技有限公司
0755-23914006
SI4829DY-T1-GE3
深圳市華斯頓科技有限公司
0755-83777607
SI4829DY-T1-GE3
深圳市芯滿林科技有限公司
18926544209/1
SI4829DY-T1-GE3
北京元坤國(guó)際科技有限公司
010-62962871、
SI4829DY-T1-GE3
深圳市濤能電子科技有限公司
13537790913
SI4829DY-T1-GE3
深圳市金鎮(zhèn)發(fā)科技有限公司
0755-83515980
查看更多SI4829DY-T1-GE3的供應(yīng)商
SR767C224MAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.22UF 500V 20% RADIAL
SI7860DP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SR217A102JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1000PF 500V 5% RADIAL
SI4825DY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC
SQCB9M201JAJME\500
陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 200PF 300V 5% 1111
SQCAEM240FATME\500
陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 24PF 150V 1% 0605
SHIPLBL-074
標(biāo)簽,標(biāo)記 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON RED 500/PK
RT0603DRD07107RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603(1608 公制) RES 107 OHM 1/10W .5% SMD 0603
SI7862ADP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 16V PPAK 8SOIC
SR217A102JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1000PF 500V 5% RADIAL
SHIPLBL-076
標(biāo)簽,標(biāo)記 3M (TC) LABEL 3X4" BLK/RED ON WHT 500/PK
SQCAEM270GAJME\500
陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 27PF 150V 2% 0605
RT0603DRD0710K5L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603(1608 公制) RES 10.5K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
SQCB9M201JAJME\500
陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 200PF 300V 5% 1111
SI7862ADP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 16V PPAK 8SOIC
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