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SI4834B 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

SI4834BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4834BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4834BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4834BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SR768C224MARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.22UF 400V 20% RADIAL
SI4834BDY-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
SR217A121JAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 120PF 500V 5% RADIAL
RT0603DRD0710KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 10K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
SQCAEM270JAJME
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 27PF 150V 5% 0605
SQCB9M201JAJWE
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 200PF 300V 5% 1111
SHIPLBL-078
標(biāo)簽，標(biāo)記 3M (TC) LABEL 3X4" BLK/RED ON WHT 500/PK
SR891A101JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 100PF 100V 5% RADIAL
SI7866ADP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 20V 40A PPAK 8SOIC
RT0603DRD0710R5L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 10.5 OHM 1/10W .5% SMD 0603
SQCAEM270JATWE
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 27PF 150V 5% 0605
SHIPLBL-080
標(biāo)簽，標(biāo)記 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON YEL 500/PK
SQCB9M201JAJWE
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 200PF 300V 5% 1111
SR891A331JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 330PF 100V 5% RADIAL
SI7868ADP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC