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SI4835-B30-GU詳細(xì)規(guī)格: 類別：RF 接收器; 描述：IC RCVR AM/FM/SW RADIO 24SSOP; 系列：-; 制造商：Silicon Laboratories Inc; 頻率：504kHz ~ 1.75MHz，5.6MHz ~ 22MHz，64MHz ~ 109MHz; 靈敏度：-; 數(shù)據(jù)傳輸率_最大：-; 調(diào)制或協(xié)議：AM，F(xiàn)M，SW; 應(yīng)用：通用; 電流_接收：21.5mA; 數(shù)據(jù)接口：PCB，表面貼裝; 存儲(chǔ)容量：-; 天線連接器：PCB，表面貼裝; 特點(diǎn)：-; 電源電壓：2 V ~ 3.6 V; 工作溫度：-40°C ~ 95°C; 封裝/外殼：24-SSOP（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：24-SSOP; 包裝：托盤(pán)

SI4835BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.4A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 9.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4835BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.4A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 9.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4835BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.4A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 9.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4835DDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1960pF @ 15V; 功率_最大：5.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4835DDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1960pF @ 15V; 功率_最大：5.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SR891A331JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 330PF 100V 5% RADIAL
SI7868ADP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC
SR217A151JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 150PF 500V 5% RADIAL
SI4834CDY-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
RT0603DRD07113RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 113 OHM 1/10W .5% SMD 0603
SQCAEM270JATWE
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 27PF 150V 5% 0605
SQCBEA102JATME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 1000PF 150V 5% 1111
SHIPLBL-082-50
標(biāo)簽，標(biāo)記 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON GREEN 50/PK
SI7868ADP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC
SR217A151JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 150PF 500V 5% RADIAL
RT0603DRD0711R5L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 11.5 OHM 1/10W .5% SMD 0603
SQCAEM2R0BAJME\500
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 2PF 150V 0605
SHIPLBL-084-50
標(biāo)簽，標(biāo)記 3M (TC) LABEL 2X3" RED ON WHITE 50/PK
SQCBEA152KAJME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 1500PF 150V 10% 1111
SR891C104MAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.1UF 100V 20% RADIAL

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