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SI4866DY-T1-GE3 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

SI4866DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：12V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.5 毫歐 @ 17A，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

• SHIPLBL-090

  標(biāo)簽，標(biāo)記    3M (TC)        LABEL 4X4" BLACK ON WHITE 500/PK

• SR217C222MAR

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 2200PF 500V 20% RADIAL

• SI4840DY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC

• SQCAEM2R7BAJME\500

  陶瓷    AVX Corporation    0605（1613 公制）    CAP CER 2.7PF 150V 0605

• SRAH-03A180R

  DC DC Converters    Bel Fuse Inc    7-DIP SMD 模塊    CONV DC/DC 3A 12V 1.8VOUT SMD

• RT0603DRD07154RL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0603（1608 公制）    RES 154 OHM 1/10W .5% 0603 SMD

• SI7904BDN-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    PowerPAK? 1212-8 雙    MOSFET N-CH DL 20V PPAK 1212-8

• SQCBEM511JAJME\500

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 510PF 150V 5% 1111

• SHIPLBL-093-50

  標(biāo)簽，標(biāo)記    3M (TC)        LABEL 5X3" BLACK ON RED 50/PK

• SQCAEM300FAJME

  陶瓷    AVX Corporation    0605（1613 公制）    CAP CER 30PF 150V 1% 0605

• RT0603DRD07158KL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0603（1608 公制）    RES 158K OHM 1/10W .5% SMD 0603

• SRAH-03C1A00

  DC DC Converters    Bel Fuse Inc    7-DIP SMD 模塊    CONV DC/DC 3A 3.3VDC .9-2.5V SMD

• SI7904BDN-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    PowerPAK? 1212-8 雙    MOSFET N-CH DL 20V PPAK 1212-8

• SQCBEM561KATWE

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 560PF 150V 10% 1111

• SHIPLBL-096

  標(biāo)簽，標(biāo)記    3M (TC)        LABEL 5X3" BLACK ON YEL 500/PK