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SI4896DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4896DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4896DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4896DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4896DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4896DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

MS310320-15P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 7POS POTTING W/PINS
SR03700002201KR500
通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 2.20K OHM .50W MET FILM 10%
SR201A122JAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1200PF 100V 5% RADIAL
SFW22R-3STE1
FFC，F(xiàn)PC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 FCI SFW22R-3STE1-FFC/FPC CONN
SH305S2
傳感器電纜 - 配件 Conxall/Switchcraft SHIELDED DC MICRO-MIZER
SI4896DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC
MS27656T9F98S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS WALL MNT W/SCKT
MS3103-20-23S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 2POS POTTING W/SKTS
SR201A122JAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1200PF 100V 5% RADIAL
SH314P.3
傳感器電纜 - 配件 Conxall/Switchcraft SHIELDED DC MICRO-MIZER
SFW22R-3STE1LF
FFC，F(xiàn)PC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 FCI CONN FPC/FFC 22POS 1MM R/A SMD
MS3057-10A(M85049/41-10A)
圓形 - 配件 Amphenol Industrial Operations 軸向 STRAIN RLIEF SHELL SZ 18 CADMIUM
SI4908DY-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 40V 5A 8-SOIC
MS310320-3S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS WALL MNT W/SKTS
SR201A152FAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1500PF 100V 1% RADIAL

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