SI4900DY-T1 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

SI4900DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH DUAL 60V 5.3A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 4.3A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 15V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：剪切帶 (CT)

SI4900DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH DUAL 60V 5.3A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 4.3A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 15V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：Digi-Reel®

SI4900DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH DUAL 60V 5.3A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 4.3A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 15V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

SI4900DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH DUAL 60V 5.3A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 4.3A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 15V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

• SQCBEM821JATME

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 820PF 150V 5% 1111

• SR221A3R0DAR

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 3PF 100V RADIAL

• SQCAEM3R3BAJME\500

  陶瓷    AVX Corporation    0605（1613 公制）    CAP CER 3.3PF 150V 0605

• RT0603DRD0717K4L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0603（1608 公制）    RES 17.4K OHM 1/10W .5% 0603 SMD

• SI4900DY-T1-E3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL 60V 5.3A 8-SOIC

• SFR16S0004020FR500

  通孔電阻器    Vishay BC Components    軸向    RES 402 OHM METAL FILM .50W 1%

• SI7945DP-T1-E3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET DUAL P-CH 30V 8-SOIC

• SHIPLBL-106

  標(biāo)簽，標(biāo)記    3M (TC)        LABEL 5X3" BLACK ON GREEN 500/PK

• SQCBEM821KAJME

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 820PF 150V 10% 1111

• RT0603DRD0717K8L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0603（1608 公制）    RES 17.8K OHM 1/10W .5% 0603 SMD

• SI7946DP-T1-E3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8 雙    MOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC

• SFR16S0004021FR500

  通孔電阻器    Vishay BC Components    軸向    RES 4.02K OHM METAL FILM .50W 1%

• SQCAEM3R3DATME

  陶瓷    AVX Corporation    0605（1613 公制）    CAP CER 3.3PF 150V 0605

• SQCBEM821KATME\500

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 820PF 150V 10% 1111

• SHIPLBL-109

  標(biāo)簽，標(biāo)記    3M (TC)        LABEL 5X3" BLK/RED ON YEL 500/PK