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SI4900DY-T1 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

SI4900DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 60V 5.3A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.3A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 4.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4900DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 60V 5.3A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.3A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 4.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4900DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 60V 5.3A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.3A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 4.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4900DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 60V 5.3A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.3A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 4.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 15V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SQCBEM821JATME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 820PF 150V 5% 1111
SR221A3R0DAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 3PF 100V RADIAL
SQCAEM3R3BAJME\500
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 3.3PF 150V 0605
RT0603DRD0717K4L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 17.4K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
SI4900DY-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 60V 5.3A 8-SOIC
SFR16S0004020FR500
通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 402 OHM METAL FILM .50W 1%
SI7945DP-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET DUAL P-CH 30V 8-SOIC
SHIPLBL-106
標(biāo)簽，標(biāo)記 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON GREEN 500/PK
SQCBEM821KAJME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 820PF 150V 10% 1111
RT0603DRD0717K8L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 17.8K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
SI7946DP-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 雙 MOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC
SFR16S0004021FR500
通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 4.02K OHM METAL FILM .50W 1%
SQCAEM3R3DATME
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 3.3PF 150V 0605
SQCBEM821KATME\500
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 820PF 150V 10% 1111
SHIPLBL-109
標(biāo)簽，標(biāo)記 3M (TC) LABEL 5X3" BLK/RED ON YEL 500/PK