两个黑人大战嫩白金发美女,邻居少妇张开腿让我爽了一夜视频,内射老阿姨1区2区3区4区

SI4906DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 40V 6.6A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫歐 @ 5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：625pF @ 20V; 功率_最大：2W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4906DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 40V 6.6A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫歐 @ 5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：625pF @ 20V; 功率_最大：2W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4906DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 40V 6.6A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫歐 @ 5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：625pF @ 20V; 功率_最大：2W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4906DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫歐 @ 5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：625pF @ 20V; 功率_最大：3.1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4906DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫歐 @ 5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：625pF @ 20V; 功率_最大：3.1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

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SHRLPAX0
配件 Red Lion Controls 徑向，Can LPAX SHROUD
SR151C151KAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 150PF 100V 10% RADIAL
SRDB-20E33HR
DC DC Converters Bel Fuse Inc 12-DIP SMD 模塊 CONV DC/DC 20A 3.3V OUT SMD
RY-0912S/P
DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模塊（5 引線(xiàn)） CONV DC/DC 1W 09VIN 12VOUT
SI4906DY-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
SMA5J8.0CAHE3/5A
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS BIDIR 500W 8.0V 5% SMA
MMSZ5225B-TP
單二極管/齊納 Micro Commercial Co SOD-123 DIODE ZENER 500MW 3.0V SOD123
SSQ-129-03-S-S
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 29POS SNGL GOLD
SRF 55V02P MCC2
RFID IC Infineon Technologies MCC2 芯片卡模塊 IC EEPROM 2KBIT INTELLIG MCC2-2
SMA5J8.5AHE3/5A
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 500W 8.5V 5% SMA
MMSZ5226B
單二極管/齊納 Fairchild Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD-123
RY-0915D/P
DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模塊（5 引線(xiàn)） CONV DC/DC 1W 09VIN +/-15VOUT
SR151C182KAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1800PF 100V 10% RADIAL
SRF 55V02P Y1/0
RFID IC Infineon Technologies - IC EEPROM 2KBIT INTELLIG Y1.0-2
SSQ-130-03-G-S-RA
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 30POS R/A SGL AU

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