

SI4913DY-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 20V 7.1A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7.1A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫歐 @ 9.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 500µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI4913DY-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 20V 7.1A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7.1A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫歐 @ 9.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 500µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
SI4913DY-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 20V 7.1A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7.1A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫歐 @ 9.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 500µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:Digi-Reel®
SI4913DY-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7.1A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫歐 @ 9.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 500µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI4913DY-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7.1A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫歐 @ 9.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 500µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:Digi-Reel®
SI4913DY-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7.1A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫歐 @ 9.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 500µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
- 熱縮管 Daburn Electronics 徑向 HEATSHRINK BLACK 1/2IN X 5FT
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1206(3216 公制) CAP CER 24PF 500V 10% NP0 1206
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 5V 200W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 15V 50W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 針法蘭半磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 50W
- FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET P-CH DUAL 20V 7.1A 8-SOIC
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 100W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 150W
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1206(3216 公制) CAP CER 27PF 100V 5% NP0 1206
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 針法蘭半磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 25W
- 熱縮管 Daburn Electronics 徑向 HEATSHRINK BLACK 3IN X 100FT
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 15V 50W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 75W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 100W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 25W