SI4914 全國供應商、價格、PDF資料

SI4914BDY-T1-E3詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH 30V 8-SOIC

系列：LITTLE FOOT®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.4A，8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：2.7W，3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

SI4914BDY-T1-GE3詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH 30V 8-SOIC

系列：LITTLE FOOT®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.4A，8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：2.7W，3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：Digi-Reel®

SI4914BDY-T1-GE3詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH 30V 8-SOIC

系列：LITTLE FOOT®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.4A，8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：2.7W，3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：剪切帶 (CT)

SI4914BDY-T1-GE3詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH 30V 8-SOIC

系列：LITTLE FOOT®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.4A，8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：2.7W，3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

SI4914DY-T1-E3詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.5A，5.7A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.5nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.1W，1.16W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：剪切帶 (CT)

SI4914DY-T1-E3詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.5A，5.7A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.5nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.1W，1.16W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：Digi-Reel®

• RNF14BTD562R

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 562 OHM 1/4W .1% AXIAL

• SCFLXRAYADPTS12

  配件    Freescale Semiconductor    196-LBGA    ADAPTER BOARD FRDC

• SI4914DY-T1-E3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC

• ROV14-681K-S-2

  TVS - 變阻器，MOV    TE Connectivity    圓盤 14mm    VARISTOR 680V 14MM STRAIGHT T/R

• RNCS0603BKE15K0

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0603（1608 公制）    RES 1/16W 15K OHM 0.1% 0603

• RNCF1206BTE9K53

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    1206（3216 公制）    RES 9.53K OHM 1/8W 0.1% 1206

• SDK-DM3730-20-256512R

  通用嵌入式開發(fā)板和套件（MCU、DSP、FPGA、CPLD等）    Logic    60-XFQFN 裸露焊盤    KIT DEV ZOOM FOR AM/DM37X

• RNF12FTD4R99

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 4.99 OHM 1/2W 1% AXIAL

• RNF14BTD6K42

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 6.42K OHM 1/4W .1% AXIAL

• ROV14-751K

  TVS - 變阻器，MOV    TE Connectivity    圓盤 14mm    VARISTOR 750V 14MM RADIAL

• RNCS0603BKE182K

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0603（1608 公制）    RES 1/16W 182K OHM 0.1% 0603

• RNCF1206BTT150K

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    1206（3216 公制）    RES 150K OHM 1/8W 0.1% 1206

• SDK-LH79520-10-3208

  過時/停產零件編號    Logic        KIT DEV ZOOM STARTER FOR LH79520

• RNF12FTD511R

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES MF 1/2W 511 OHM 1% AXL

• RNF14BTD6K81

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 6.81K OHM 1/4W .1% AXIAL