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SI4923DY 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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SI4923DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8.3A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N
包裝：帶卷 (TR)

SI4923DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8.3A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N
包裝：帶卷 (TR)

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