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SI4992EY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 75V 3.6A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：48 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4992EY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 75V 3.6A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：48 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4992EY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 75V 3.6A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：48 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4992EY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 75V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：48 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4992EY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 75V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：48 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4992EY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 75V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：48 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

VIBLSD1-S12-S15-DIP
DC DC Converters CUI Inc 14-DIP 模塊（300 mil，5 引線） CONVERTER DC/DC 15V REG OUT 1W
VI-JWN-IW-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 100W
VI-B33-EV-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 24V 150W
SI4974DY-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC
SH470M010ST
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can CAP ALUM 47UF 10V 20% RADIAL
VJ1206A330JXGAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 33PF 1KV 5% NP0 1206
VI-B7L-MY-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 50W
VI-B6X-IW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 100W
VIBLT1-S12-S5-SMT
DC DC Converters CUI Inc 14-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）12 引線 CONVERTER DC/DC 5V 0.75W SMD
SH470M063ST
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can CAP ALUM 47UF 63V 20% RADIAL
VJ1206A330KBCAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 33PF 200V 10% NP0 1206
VI-B6X-IW-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 100W
VI-B7M-CW-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 100W
VI-B33-EX
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 24V 75W
VIBLT1-S24-S12-SMT
DC DC Converters CUI Inc 14-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）12 引線 CONVERTER DC/DC 12V-OUT 1W SMD

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