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SI5435BDC-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 4.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：帶卷 (TR)

SI5435BDC-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 4.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：剪切帶 (CT)

SI5435BDC-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 4.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：Digi-Reel®

SI5435BDC-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 4.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：Digi-Reel®

SI5435BDC-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 4.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：剪切帶 (CT)

SI5435BDC-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 4.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：帶卷 (TR)

SR071C103MAAAP1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 10000PF 100V 20% RADIAL
MS3106A22-27S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 9POS STRAIGHT W/SCKT
SR201E333MAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.033UF 100V 20% RADIAL
SI5435BDC-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引線 MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
MS3100C14S-2P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 4POS WALL MNT W/PINS
SHIPLBL-036
標(biāo)簽，標(biāo)記 3M (TC) LABEL 3X2" RED ON WHITE 500/PK
SG-51PH 32.7680MC
振蕩器 EPSON 14-DIP，4 引線（全尺寸） OSCILLATOR 32.7680MHZ PDIP
SR071C152KAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1500PF 100V 10% RADIAL
SR202A681JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 680PF 200V 5% RADIAL
MS3100C14S-9P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 2POS WALL MNT W/PINS
SHIPLBL-037-50
標(biāo)簽，標(biāo)記 3M (TC) LABEL 5X3" RED ON WHITE 50/PK
SG-51PTJ 28.0000MC:ROHS
振蕩器 EPSON 14-DIP，4 引線（全尺寸） OSCILLATOR 28.0000MHZ PDIP
SR071C222KAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 2200PF 100V 10% RADIAL
SR202A681KAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 680PF 200V 10% RADIAL
SI5441BDC-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引線 MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8

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